AOD407
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥0.76
110,450
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AOD407
AOS
TO252

2500+:¥0.76

1+:¥0.82

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AOD407
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥0.7904

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AOD407
AOS(美国万代)
TO-252,(D-Pak)

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AOD407
AOS
TO-252

5000+:¥0.8063

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500+:¥1.0671

150+:¥1.2702

50+:¥1.4329

5+:¥1.8127

75770

-
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AOD407
AOS
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥0.836

5000+:¥0.9026

2500+:¥0.95

800+:¥1.33

200+:¥1.9

10+:¥3.0924

592

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1000+:¥0.8466

500+:¥0.8877

100+:¥0.9698

30+:¥1.052

1+:¥1.0931

922

-
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AOD407
AOS(美国万代)
TO-252-2(DPAK)

5000+:¥0.8896

1000+:¥0.90612

500+:¥0.92264

100+:¥0.93833

10+:¥0.9499

12717

25+
现货
AOD407
AOS(万代)
TO252

2500+:¥0.93

500+:¥1.05

50+:¥1.23

5+:¥1.67

3000

22+/23+
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AOS(美国万代)
TO-252

100+:¥1.0648

40+:¥1.375

592

-
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AOD407
AOS(美国万代)
TO-252

2500+:¥2.256

1000+:¥3.1333

100+:¥4.1778

1+:¥5.64

8493

-
3天-5天
AOD407
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

5000+:¥0.8

2500+:¥0.85

500+:¥0.93

150+:¥1.05

50+:¥1.13

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11810

2451+
1工作日
AOD407
AOS(美国万代)
TO-252,(D-Pak)

2500+:¥0.8112

1250+:¥0.87568

100+:¥1.03376

1+:¥1.3416

11672

--
1-3工作日
AOD407
AOS
TO-252

50000+:¥0.8602

37500+:¥0.8691

2500+:¥0.8736

1250+:¥0.943

100+:¥1.1133

1+:¥1.4448

11782

25+
2-5工作日
AOD407
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

12000+:¥0.912

9000+:¥0.928

6000+:¥0.944

3000+:¥0.96

50000

22+
3-5工作日
AOD407
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

5000+:¥0.9251

2000+:¥0.9416

11445

25+
3-5工作日
AOD407
Alpha & Omega Semiconductor
TO-252

12000+:¥0.969

9000+:¥0.986

6000+:¥1.003

3000+:¥1.02

40000

-
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1185 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63