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AO3416A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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UMW(友台)
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SOT-23
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100+:￥0.0948 20+:￥0.0984 5+:￥0.1003 |
2180 |
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.097 1+:￥0.122 |
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3000+:￥0.10088 1+:￥0.12688 |
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UMW(友台半导体)
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21000+:￥0.1031 9000+:￥0.1106 3000+:￥0.1246 600+:￥0.1502 200+:￥0.177 20+:￥0.2254 |
90500 |
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UMW(友台)
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3000+:￥0.1455 1500+:￥0.183 200+:￥0.2925 80+:￥0.6446 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1650 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |