AO3416A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.09477
102,585
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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AO3416A
UMW(友台)
SOT-23

100+:¥0.0948

20+:¥0.0984

5+:¥0.1003

2180

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UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.097

1+:¥0.122

3119

24+
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.10088

1+:¥0.12688

3082

24+
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UMW(友台半导体)
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21000+:¥0.1031

9000+:¥0.1106

3000+:¥0.1246

600+:¥0.1502

200+:¥0.177

20+:¥0.2254

90500

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UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1455

1500+:¥0.183

200+:¥0.2925

80+:¥0.6446

3089

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UMW
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1+:¥0.1568

734

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UMW(友台半导体)
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3000+:¥0.161

1500+:¥0.191

100+:¥0.215

10+:¥0.262

3000

22+
AO3416A
UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.081

9000+:¥0.0832

3000+:¥0.0846

21000

22+
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.10088

1500+:¥0.12688

200+:¥0.2028

1+:¥0.60944

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1-3工作日
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UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.103

9000+:¥0.11

3000+:¥0.12

600+:¥0.147

200+:¥0.168

20+:¥0.215

25061

2504+
1工作日
AO3416A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.1031

6000+:¥0.1049

3000+:¥0.1068

180000

24+
5-9工作日
UMW AO3416A
UMW(友台)
SOT-23

5000+:¥0.1344

2000+:¥0.138

500+:¥0.144

300+:¥0.156

100+:¥0.168

1+:¥0.18

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3000+:¥0.168

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AO3416A
友台半导体(UMW)
SOT-23

30000+:¥0.726

6000+:¥0.7838

3000+:¥0.825

800+:¥1.155

100+:¥1.65

20+:¥2.5575

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1650 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3