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AO3415A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AO3415A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.103 1+:￥0.116 |
6215 |
2年内
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圣禾堂
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AO3415A
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UMW(友台)
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SOT-23
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50000+:￥0.1042 30000+:￥0.107 10000+:￥0.1116 5000+:￥0.1163 500+:￥0.1255 50+:￥0.1395 |
1992 |
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华秋商城
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AO3415A
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.10712 1+:￥0.12064 |
5717 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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AO3415A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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21000+:￥0.1107 9000+:￥0.119 3000+:￥0.1343 600+:￥0.163 200+:￥0.1926 20+:￥0.2458 |
55200 |
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立创商城
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AO3415A
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友台半导体(UMW)
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SOT-23
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9000+:￥0.1279 3000+:￥0.179 600+:￥0.1918 200+:￥0.2428 20+:￥0.2803 |
2017 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |