AO3415A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.10416
72,872
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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AO3415A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.103

1+:¥0.116

6215

2年内
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AO3415A
UMW(友台)
SOT-23

50000+:¥0.1042

30000+:¥0.107

10000+:¥0.1116

5000+:¥0.1163

500+:¥0.1255

50+:¥0.1395

1992

-
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AO3415A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.10712

1+:¥0.12064

5717

2年内
1-2工作日发货
AO3415A
UMW(友台半导体)
SOT-23

21000+:¥0.1107

9000+:¥0.119

3000+:¥0.1343

600+:¥0.163

200+:¥0.1926

20+:¥0.2458

55200

-
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AO3415A
友台半导体(UMW)
SOT-23

9000+:¥0.1279

3000+:¥0.179

600+:¥0.1918

200+:¥0.2428

20+:¥0.2803

2017

-
AO3415A
UMW
SOT-23

100+:¥0.1388

1+:¥0.1412

2221

2310
现货最快4H发
AO3415A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1545

1500+:¥0.174

250+:¥0.201

5725

-
3天-15天
AO3415A
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.10712

1500+:¥0.12064

200+:¥0.13936

1+:¥0.21632

6275

--
1-3工作日
AO3415A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.11

9000+:¥0.116

3000+:¥0.132

500+:¥0.16

200+:¥0.18

20+:¥0.23

12131

2515+
1工作日
AO3415A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.1104

6000+:¥0.1123

3000+:¥0.1141

180000

24+
5-9工作日
AO3415A
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.1429

0

-
UMW AO3415A
UMW(友台)
SOT-23

5000+:¥0.2576

2000+:¥0.2645

500+:¥0.276

300+:¥0.299

100+:¥0.322

1+:¥0.345

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1450 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3