AO3414A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.08
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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SOT-23

21000+:¥0.0807

9000+:¥0.0884

3000+:¥0.1027

600+:¥0.1191

200+:¥0.1465

20+:¥0.1959

3500

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3000+:¥0.0832

1+:¥0.10504

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3000+:¥0.12

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8028

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UMW AO3414A
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2000+:¥0.1254

1000+:¥0.1311

500+:¥0.139

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20+:¥0.1729

5+:¥0.1898

121

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UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.126

600+:¥0.139

200+:¥0.164

20+:¥0.206

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1+:¥0.1372

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30000+:¥0.0669

9000+:¥0.0687

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30000

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3000+:¥0.0739

1000+:¥0.0787

500+:¥0.0855

100+:¥0.0923

50+:¥0.106

1+:¥0.1129

635

2216+
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9000+:¥0.085

3000+:¥0.09

600+:¥0.1

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20+:¥0.16

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2448+
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21000+:¥0.0876

6000+:¥0.0891

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180000

24+
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3000+:¥0.1259

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 6.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 436 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3