AO3400A
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0922
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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AO3400A
UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.089

1+:¥0.112

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AO3400A
UMW
SOT-23

1000+:¥0.0922

500+:¥0.0963

100+:¥0.0996

1+:¥0.1079

2980

2525
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.09256

1+:¥0.11648

50979

25+
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UMW(友台半导体)
SOT-23

21000+:¥0.0928

9000+:¥0.0975

3000+:¥0.1047

600+:¥0.125

200+:¥0.1489

20+:¥0.2025

1062340

-
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UMW(友台)
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3000+:¥0.1005

1200+:¥0.12

300+:¥0.1429

20+:¥0.1944

3952

-
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UMW(友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.101

600+:¥0.113

200+:¥0.131

20+:¥0.169

17600

23+
AO3400A
友台半导体(UMW)
SOT-23

30000+:¥0.1105

6000+:¥0.1194

3000+:¥0.1256

800+:¥0.1573

100+:¥0.2138

20+:¥0.3315

4017

-
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3000+:¥0.1335

1500+:¥0.168

200+:¥0.27

90+:¥0.5918

55342

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3天-15天
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UMW
SOT-23

200+:¥0.0947

50+:¥0.0972

1+:¥0.0988

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2501
现货最快4H发
AO3400A
UMW/友台半导体
SOT-23

30000+:¥0.083

21000+:¥0.085

15000+:¥0.09

3000+:¥0.1

15618

2439+
1工作日
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UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.09256

1500+:¥0.11648

200+:¥0.1872

1+:¥0.55952

48644

--
1-3工作日
AO3400A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.0928

9000+:¥0.0962

3000+:¥0.1025

600+:¥0.1186

200+:¥0.1425

20+:¥0.1985

161694

2439+
1工作日
AO3400A
UMW/友台半导体
SOT-23

21000+:¥0.0928

6000+:¥0.0945

3000+:¥0.0961

180000

24+
5-9工作日
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3000+:¥0.095

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1+:¥0.13089

0

2501
现货
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UMW(广东友台半导体)
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5+:¥0.13089

2

2502
现货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 27 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1050 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3