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BSC028N06LS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSC028N06LS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.3 1+:￥3.44 |
4990 |
25+
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圣禾堂
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BSC028N06LS3 G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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100+:￥3.4 30+:￥3.89 10+:￥4.39 1+:￥5.38 |
258 |
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立即发货
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立创商城
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BSC028N06LS3G
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥4.356 10000+:￥4.7025 5000+:￥4.95 1000+:￥6.93 300+:￥9.9 10+:￥16.1123 |
5000 |
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油柑网
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BSC028N06LS3G
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TDSON-8
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5000+:￥2.5111 300+:￥2.712 100+:￥2.7622 30+:￥3.3398 10+:￥3.6662 1+:￥4.2689 |
2755 |
23+
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1-3工作日
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云汉芯城
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BSC028N06LS3G
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Infineon Technologies/IR
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TDSON-8
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20000+:￥2.5538 15000+:￥2.599 10000+:￥2.6668 5000+:￥2.825 |
5000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 93µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 175 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），139W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |