BSC028N06LS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥3.3
10,248
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A(Ta),100A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSC028N06LS3G
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥3.3

1+:¥3.44

4990

25+
立即发货
BSC028N06LS3 G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

100+:¥3.4

30+:¥3.89

10+:¥4.39

1+:¥5.38

258

-
立即发货
BSC028N06LS3G
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

50000+:¥4.356

10000+:¥4.7025

5000+:¥4.95

1000+:¥6.93

300+:¥9.9

10+:¥16.1123

5000

-
BSC028N06LS3G
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON-8

5000+:¥2.5111

300+:¥2.712

100+:¥2.7622

30+:¥3.3398

10+:¥3.6662

1+:¥4.2689

2755

23+
1-3工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

20000+:¥2.5538

15000+:¥2.599

10000+:¥2.6668

5000+:¥2.825

5000

-
3-5工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

40000+:¥2.5764

20000+:¥2.6216

10000+:¥2.6668

5000+:¥2.825

5000

23+
3-6工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

1000+:¥2.8993

100+:¥3.0253

10+:¥3.6242

15800

-
5-10工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

250000+:¥2.9109

50000+:¥2.9369

10000+:¥2.9889

5000+:¥3.0928

85040

23+
3-4工作日
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies/IR

20000+:¥3.666

15000+:¥3.7616

10000+:¥3.8931

5000+:¥4.4008

25000

22+
5-7工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

3000+:¥3.8307

1000+:¥3.8985

500+:¥4.0002

5+:¥4.2375

35000

22+
3-5工作日
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies/IR

74000+:¥4.5562

300+:¥4.5562

200+:¥4.6375

100+:¥4.8002

17587

22+
3-5工作日
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies/IR

50000+:¥5.0865

25000+:¥5.2191

15000+:¥5.3961

5000+:¥5.5288

10000

-
3-5工作日
BSC028N06LS3G
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

25000+:¥5.1528

15000+:¥5.2432

10000+:¥5.3336

5000+:¥5.424

30000

-
3-5工作日
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon

200+:¥5.302

150+:¥5.5325

100+:¥5.763

3465

-
3-5工作日
BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies/IR

500+:¥10.488

100+:¥11.5286

5+:¥12.696

23445

-
14-18工作日
BSC028N06LS3G
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

500+:¥3.476

100+:¥3.476

20+:¥3.476

1+:¥3.476

0

19+/20+
BSC028N06LS3GATMA1
INFINEON
PG-TDSON-8

1+:¥8.8573

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.8 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 93µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 175 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 13000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),139W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN