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BSC035N04LSGATMA1
Infineon(英飞凌)
8-PowerTDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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BSC035N04LS G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.13 500+:￥2.27 100+:￥2.52 30+:￥2.95 10+:￥3.39 1+:￥4.25 |
1331 |
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.4 1+:￥2.51 |
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圣禾堂
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INFINEON
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1+:￥2.4696 |
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京北通宇
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TDSON-8
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5000+:￥2.496 1+:￥2.6104 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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25000+:￥2.6801 5000+:￥2.9779 |
25000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 36µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |