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BSC035N04LSGATMA1
Infineon(英飞凌)
8-PowerTDFN
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSC035N04LS G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.13 500+:￥2.27 100+:￥2.52 30+:￥2.95 10+:￥3.39 1+:￥4.25 |
1331 |
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立即发货
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立创商城
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BSC035N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.4 1+:￥2.51 |
4099 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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BSC035N04LSG
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INFINEON
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1+:￥2.4696 |
995 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC035N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.496 1+:￥2.6104 |
4095 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC035N04LSGATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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25000+:￥2.6801 5000+:￥2.9779 |
25000 |
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油柑网
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BSC035N04LS G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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100+:￥2.86 30+:￥3.29 10+:￥3.73 1+:￥4.6 |
3813 |
20+/21+
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在芯间
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BSC035N04LSG
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥2.86 10000+:￥3.0875 5000+:￥3.25 1000+:￥4.55 300+:￥6.5 10+:￥10.5788 |
5000 |
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油柑网
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BSC035N04LSG
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TDSON-8
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1000+:￥2.15 500+:￥2.28 100+:￥2.35 10+:￥2.59 1+:￥2.93 |
4410 |
2149+
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1工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.2464 2500+:￥2.34936 1250+:￥2.46168 100+:￥2.65824 1+:￥3.1824 |
4099 |
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1-3工作日
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硬之城
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BSC035N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.688 2500+:￥2.8112 1250+:￥2.9456 100+:￥3.1808 1+:￥3.808 |
4099 |
22+
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2-4工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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INFINEON TECHNOLOGIES
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TDSON-8
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5000+:￥2.7222 300+:￥2.94 100+:￥2.9944 30+:￥3.6206 10+:￥3.9744 1+:￥4.6278 |
209 |
21+
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1工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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Infineon Technologies/IR
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TDSON-8
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25000+:￥2.8985 15000+:￥2.9493 10000+:￥3.0002 5000+:￥3.051 |
30000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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Infineon Technologies/IR
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TDSON-8
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10000+:￥2.938 5000+:￥2.99 1000+:￥3.068 10+:￥3.25 |
5000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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Infineon Technologies/IR
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TDSON-8
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10000+:￥4.025 5000+:￥4.13 500+:￥4.2 10+:￥4.375 |
20000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSC035N04LSG
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Infineon Technologies/IR
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TDSON-8
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2500+:￥5.4933 1260+:￥5.6605 20+:￥5.7848 |
8780 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 36µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），69W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |