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SCT040W120G3-4AG
ST(意法半导体)
HiP-247-4
碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：40A，耗散功率(Pd)：312W，阈值电压(Vgs(th))：4.2V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SCT040W120G3-4AG
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STMicroelectronics
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HIP-247-4
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25000+:￥75.44 5000+:￥76.096 1000+:￥77.408 200+:￥80.032 |
200 |
23+
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5-7工作日
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云汉芯城
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SCT040W120G3-4AG
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STMicroelectronics
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HIP-247-4
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4800+:￥96.9 2400+:￥96.9 1200+:￥98.6 600+:￥100.3 |
12000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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SCT040W120G3-4AG
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STMicroelectronics
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HIP-247-4
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250+:￥128.3929 100+:￥132.5088 50+:￥142.8772 10+:￥153.2456 8+:￥163.5616 1+:￥173.8645 |
14 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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SCT040W120G3-4AG
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STMicroelectronics
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HIP-247-4
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500+:￥147.131 100+:￥161.7544 1+:￥178.2 |
19 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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ST(意法半导体)
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HiP-247-4
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600+:￥48.0 1+:￥49.35 |
0 |
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圣禾堂
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25+:￥83.18 10+:￥91.16 1+:￥95.78 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 连续漏极电流(Id) | 40A |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |