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SCT1000N170
ST(意法半导体)
TO-247-3
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SCT1000N170
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STMicroelectronics
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HIP-247-3
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600+:￥22.04 180+:￥22.967 30+:￥24.375 |
2000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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SCT1000N170
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STMicroelectronics
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HIP-247-3
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10000+:￥22.3232 3000+:￥22.9376 200+:￥23.552 10+:￥25.1904 |
14812 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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SCT1000N170
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STMicroelectronics
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HIP-247-3
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100+:￥22.6149 30+:￥24.008 10+:￥26.0976 1+:￥29.5099 |
602 |
2434+
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1工作日
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云汉芯城
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SCT1000N170
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ST(意法半导体)
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TO-247-3
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90+:￥25.82 30+:￥28.41 10+:￥31.51 1+:￥36.58 |
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立即发货
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立创商城
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SCT1000N170
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意法半导体(ST)
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TO-247-3
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30+:￥72.5333 10+:￥87.04 1+:￥130.5599 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 3A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13.3 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 133 pF @ 1000 V |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |