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NDT3055L
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NDT3055L
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥2.0 1+:￥2.09 |
13160 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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NDT3055L
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥2.08 1+:￥2.1736 |
13152 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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NDT3055L
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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4000+:￥2.154 1000+:￥2.194 500+:￥2.234 100+:￥2.272 10+:￥2.3 |
78028 |
24+
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现货
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硬之城
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NDT3055L
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ON(安森美)
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TO-261-4,TO-261AA
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4000+:￥2.2 2000+:￥2.299 1000+:￥2.409 100+:￥2.596 20+:￥3.124 |
13155 |
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3天-15天
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唯样商城
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NDT3055L
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FAIRCHILD
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SOT223
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500+:￥2.784 100+:￥2.9 21+:￥3.422 1+:￥4.408 |
4258 |
16+/17+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 345 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |