NDT3055L
onsemi(安森美)
SOT-223
¥2
122,895
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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NDT3055L
ON(安森美)
SOT-223-4

4000+:¥2.0

1+:¥2.09

13160

2年内
立即发货
NDT3055L
ON(安森美)
SOT-223-4

4000+:¥2.08

1+:¥2.1736

13152

2年内
1-2工作日发货
NDT3055L
ON(安森美)
SOT-223-4

4000+:¥2.154

1000+:¥2.194

500+:¥2.234

100+:¥2.272

10+:¥2.3

78028

24+
现货
NDT3055L
ON(安森美)
TO-261-4,TO-261AA

4000+:¥2.2

2000+:¥2.299

1000+:¥2.409

100+:¥2.596

20+:¥3.124

13155

-
3天-15天
NDT3055L
FAIRCHILD
SOT223

500+:¥2.784

100+:¥2.9

21+:¥3.422

1+:¥4.408

4258

16+/17+
NDT3055L
ON(安森美)
TO261-4

800+:¥2.8017

10+:¥3.3024

1+:¥3.744

200

-
立即发货
NDT3055L
onsemi(安森美)
SOT-223

500+:¥2.83

100+:¥2.97

30+:¥3.2

10+:¥3.44

1+:¥3.9

742

-
立即发货
NDT3055L
安森美(onsemi)
TO261-4

200+:¥3.6326

100+:¥5.0857

30+:¥5.449

10+:¥6.902

1+:¥8.3914

200

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 345 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 3W(Ta)
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA