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STP4N150
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STP4N150
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ST(意法半导体)
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TO-220
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100+:￥11.52 50+:￥13.33 10+:￥15.11 1+:￥17.94 |
118 |
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立即发货
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立创商城
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STP4N150
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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50+:￥12.17 1+:￥12.53 |
484 |
24+
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圣禾堂
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STP4N150
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ST(意法半导体)
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TO-220
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50+:￥12.6568 1+:￥13.0312 |
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24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STP4N150
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ST(意法半导体)
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100+:￥12.78 30+:￥14.59 10+:￥16.37 1+:￥19.2 |
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20+/21+
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在芯间
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ST(意法半导体)
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50+:￥13.387 4+:￥13.783 |
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3天-15天
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唯样商城
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意法半导体(ST)
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TO-220
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1000+:￥16.5733 500+:￥19.0593 100+:￥20.7166 50+:￥23.2026 10+:￥28.1746 1+:￥33.1466 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 50 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |