STPSC20065DY
ST(意法半导体)
TO-220-2
¥28.3764
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碳化硅二极管
二极管类型:SiC (Silicon Carbide) Schottky,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 20 A,速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
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STPSC20065DY
ST(意法半导体)
TO-220-2

1000+:¥28.3764

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规格参数
属性 属性值
二极管类型 SiC (Silicon Carbide) Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 650 V
电流 - 平均整流 (Io) 20A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.45 V @ 20 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 150 µA @ 600 V
不同\xa0Vr、F 时电容 1250pF @ 0V,1MHz
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-2
工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C