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SCTW40N120G2VAG
ST(意法半导体)
HiP-247
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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SCTW40N120G2VAG
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ST(意法半导体)
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HiP-247
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10+:￥109.151 1+:￥112.399 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105毫欧 @ 20A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 63 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1230 pF @ 800 V |
| 功率耗散（最大值） | 290W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |