CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
¥3.848
4,532
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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价格(含税)
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CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)

2500+:¥3.848

1+:¥4.004

430

22+
1-2工作日发货
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)

100+:¥4.3

30+:¥5.38

10+:¥6.05

1+:¥7.27

399

-
立即发货
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
8-VSONP(5x6)

100+:¥4.664

9+:¥5.599

501

-
3天-15天
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
VSON8

500+:¥13.71

100+:¥14.22

20+:¥14.91

1+:¥19.65

3200

21+/22+
CSD18532Q5B
Texas Instruments

1000+:¥4.7211

500+:¥4.8912

100+:¥5.1038

5128

-
3-5工作日
CSD18532Q5B
Texas Instruments

1000+:¥5.9524

500+:¥6.3291

100+:¥6.6667

50+:¥7.6923

10+:¥8.6207

1+:¥10.0

11

2240+
1工作日
CSD18532Q5B
Texas Instruments

500+:¥5.989

100+:¥6.148

10+:¥6.36

5980

22+
3-5工作日
CSD18532Q5B
Texas Instruments

3000+:¥8.344

2000+:¥8.5675

1000+:¥8.791

29151

-
10-12工作日
CSD18532Q5B
Texas Instruments

1500+:¥9.6

1000+:¥9.6

500+:¥9.6

2500

22+
4-7工作日
CSD18532Q5B
Texas Instruments

500+:¥14.1134

100+:¥14.3506

8+:¥14.7064

37

-
4周
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
8-VSONP(5x6)

2500+:¥6.26

1+:¥6.47

0

-
立即发货
CSD18532Q5B
TI
8-VSONP

1+:¥9.7177

0

-
现货最快4H发
CSD18532Q5B
TI(德州仪器)
VSON-CLIP8

1+:¥9.75

1

-
立即发货
CSD18532Q5B
德州仪器(TI)
SON-8(6x5)

25000+:¥10.725

5000+:¥11.5781

2500+:¥12.1875

800+:¥17.0625

200+:¥24.375

10+:¥39.6703

1

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 58 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5070 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 3.2W(Ta),156W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:China
晶圆地(城市)(CSO) TI:Chengdu, CN
封装地(国家/地区)(ACO) TI:Philippines External:Philippines;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Angeles City, PH External:2