BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.308
85,631
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.308

1+:¥0.33

26523

24+
立即发货
BSS314PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.312

1+:¥0.333

548

23+
立即发货
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3172

1+:¥0.34008

26484

24+
1-2工作日发货
BSS314PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.32448

1+:¥0.34632

547

23+
1-2工作日发货
BSS314PEH6327XTSA1
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.3355

6000+:¥0.3623

3000+:¥0.3813

800+:¥0.5338

100+:¥0.7626

20+:¥1.2412

26488

-
BSS314PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.3392

500+:¥0.3575

150+:¥0.6209

50+:¥0.6514

5+:¥0.7124

3720

-
立即发货
BSS314PEH6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.3432

6000+:¥0.3705

3000+:¥0.39

800+:¥0.546

100+:¥0.78

20+:¥1.2695

548

-
BSS314PEH6327XTSA1
INFINEON
SOT-23

1+:¥0.441

773

2335
现货最快4H发
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.32032

1500+:¥0.3432

200+:¥0.37752

1+:¥0.546

26878

--
1-3工作日
BSS314PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.32448

1500+:¥0.34632

200+:¥0.38168

1+:¥0.55328

584

--
1-3工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
3000

60000+:¥0.3494

45000+:¥0.3528

3000+:¥0.3562

1500+:¥0.3808

200+:¥0.4189

1+:¥0.607

26878

24+
2-4工作日
BSS314PEH6327
Infineon Technologies/IR
SOT

24000+:¥0.35

12000+:¥0.3561

6000+:¥0.3623

3000+:¥0.3838

20000

25+
3-6工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies
3000

1000+:¥0.3645

500+:¥0.3882

100+:¥0.4039

50+:¥0.4396

10+:¥0.4744

1+:¥0.4982

106

2423+
1工作日
BSS314PEH6327
Infineon Technologies/IR
SOT

1000+:¥0.3659

200+:¥0.3805

20+:¥0.4059

24000

25+
4-7工作日
BSS314PE H6327
INFINEON TECHNOLOGIES
SOT

3000+:¥0.5441

300+:¥0.5931

100+:¥0.6475

30+:¥0.7128

10+:¥0.8651

1+:¥1.0447

3970

23+
1-3工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
3000

586+:¥0.5934

584+:¥0.5986

583+:¥0.6089

582+:¥0.645

734

-
6-8工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000

375+:¥0.6785

225+:¥0.7552

75+:¥0.828

30804

-
14-18工作日
BSS314PE H6327
Infineon Technologies/IR
SOT

1500+:¥0.8425

800+:¥0.868

10400

-
10-15工作日
BSS314PEH6327
Infineon Technologies/IR
SOT

6000+:¥1.15

3000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

9565

-
3-5工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies/IR
3000

1000+:¥1.767

500+:¥1.86

100+:¥1.984

1800

-
3-5工作日
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

9000+:¥0.3299

3000+:¥0.3359

0

-
立即发货
BSS314PEH6327
INFINEON

1+:¥0.6449

0

-
现货最快4H发
BSS314PEH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23(SOT-23-3)

100+:¥0.719

30+:¥0.719

10+:¥0.754

1+:¥0.824

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 6.3µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 294 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3