50N06
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.53
29,601
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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UMW(友台半导体)
TO-252-2

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UMW(广东友台半导体)
T0-252

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TO-252

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50+:¥0.9953

5+:¥1.2977

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T0-252

2500+:¥0.583

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UMW
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T0-252

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TO-252(DPAK)

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2500+:¥0.5421

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2928 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 105W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63