NTF2955T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.25
261,829
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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NTF2955T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.25

500+:¥1.33

100+:¥1.55

30+:¥1.86

10+:¥2.11

1+:¥2.69

3106

-
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NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.4

1+:¥1.51

5841

25+
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NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥1.456

1+:¥1.5704

5840

25+
1-2工作日发货
NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥1.54

50+:¥1.661

30+:¥2.167

5841

-
3天-15天
NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223

3000+:¥1.63704

1000+:¥1.66744

500+:¥1.69784

100+:¥1.72672

10+:¥1.748

235749

25+
现货
NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥2.0544

500+:¥2.1504

100+:¥2.3424

30+:¥2.5344

1+:¥2.6304

152

-
立即发货
NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223

3000+:¥2.40238

1000+:¥2.43628

500+:¥2.47018

100+:¥2.49956

10+:¥2.5312

3300

23+
现货
NTF2955T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

500+:¥2.44

100+:¥2.88

20+:¥3.33

1+:¥4.65

2000

22+/23+
NTF2955T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.56

50+:¥1.6952

1+:¥2.1944

9367

--
1-3工作日
NTF2955T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥1.6496

2000+:¥1.7809

1000+:¥1.8746

500+:¥2.6244

100+:¥3.7492

20+:¥6.1018

0

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NTF2955T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

100+:¥3.9524

1+:¥4.2287

0

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 185 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 14.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 492 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA