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ZXM61P03FTA
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.455 1+:￥0.487 |
4623 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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ZXM61P03FTA
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4732 1+:￥0.50648 |
4617 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23
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300+:￥0.54 100+:￥0.58 30+:￥0.72 1+:￥0.9 |
3000 |
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立即发货
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华秋商城
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ZXM61P03FTA
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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1+:￥0.5502 |
475 |
2251
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现货最快4H发
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京北通宇
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.5842 150+:￥0.705 50+:￥0.8018 5+:￥1.0278 |
2485 |
-
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立即发货
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立创商城
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ZXM61P03FTA
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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200+:￥0.5896 60+:￥0.8536 |
4623 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZXM61P03FTA
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4784 1500+:￥0.51272 200+:￥0.56368 1+:￥0.8164 |
4633 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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60000+:￥0.5017 45000+:￥0.5073 3000+:￥0.5106 1500+:￥0.5472 200+:￥0.6016 1+:￥0.8714 |
4634 |
24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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24000+:￥0.5197 12000+:￥0.5286 6000+:￥0.5376 3000+:￥0.5466 |
90000 |
23+
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3-5工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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300+:￥0.531 200+:￥0.54 100+:￥0.5535 1+:￥0.625 |
8127 |
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3-6工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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500+:￥0.572 150+:￥0.6877 50+:￥0.7892 5+:￥1.0285 |
1069 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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150000+:￥0.5867 75000+:￥0.5867 15000+:￥0.5867 3000+:￥0.5867 |
21000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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Diodes Incorporated
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SOT-23-3
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1500+:￥2.5131 750+:￥2.5885 |
24475 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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ZXM61P03FTA
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DIODES(美台)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.506 30+:￥0.506 10+:￥0.506 5+:￥0.52 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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ZXM61P03FTA
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.5076 6000+:￥0.548 3000+:￥0.5768 800+:￥0.8075 200+:￥1.1536 10+:￥1.8775 |
0 |
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油柑网
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ZXM61P03F
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DIODES(美台)
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SOT-23
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30+:￥2.66 10+:￥2.7 1+:￥2.76 |
1 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 600mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |