咨询/建议
ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
ZXM61N02FTA
|
DIODES(美台)
|
SOT23
|
3000+:￥0.575 1+:￥0.618 |
17247 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
ZXM61N02FTA
|
Diodes(美台)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.598 1+:￥0.64272 |
17245 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
ZXM61N02FTA
|
DIODES(美台)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.6148 500+:￥0.7343 150+:￥0.8807 50+:￥0.998 5+:￥1.2717 |
3285 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
ZXM61N02FTA
|
美台(DIODES)
|
SOT-23
|
15000+:￥0.6229 3000+:￥0.6921 1500+:￥0.9551 |
176 |
-
|
油柑网
|
|
|
ZXM61N02FTA
|
Diodes(达尔)
|
SOT-23
|
3000+:￥0.6325 1500+:￥0.6798 200+:￥0.7821 50+:￥1.0164 |
17247 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 930mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |