ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.575
64,735
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
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ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.575

1+:¥0.618

17247

24+
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ZXM61N02FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.598

1+:¥0.64272

17245

24+
1-2工作日发货
ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.6148

500+:¥0.7343

150+:¥0.8807

50+:¥0.998

5+:¥1.2717

3285

-
立即发货
ZXM61N02FTA
美台(DIODES)
SOT-23

15000+:¥0.6229

3000+:¥0.6921

1500+:¥0.9551

176

-
ZXM61N02FTA
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.6325

1500+:¥0.6798

200+:¥0.7821

50+:¥1.0164

17247

-
3天-15天
ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

500+:¥0.69

150+:¥0.85

50+:¥0.94

5+:¥1.23

9040

24+
ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23

600+:¥0.6976

50+:¥0.9481

5+:¥1.2081

495

-
立即发货
ZXM61N02FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

150000+:¥0.44

75000+:¥0.44

15000+:¥0.44

3000+:¥0.44

60000

-
3-5工作日
ZXM61N02FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.598

1500+:¥0.64272

200+:¥0.73944

1+:¥0.96096

17439

--
1-3工作日
ZXM61N02FTA
DIODES(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.6383

1500+:¥0.686

200+:¥0.7892

1+:¥1.0256

2439

24+
2-4工作日
ZXM61N02FTA
DIODES
SOT-23-3

500+:¥0.727

150+:¥0.8719

50+:¥0.9883

5+:¥1.3024

1978

2338+
1工作日
ZXM61N02FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

1500+:¥2.5374

750+:¥2.6156

45350

-
10-15工作日
ZXM61N02FTA
Diodes Incorporated
SOT-23-3

4+:¥0.649

3+:¥0.66

2+:¥0.6765

1+:¥0.6875

1

-
3-6工作日
ZXM61N02FTA
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1+:¥0.8462

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 930mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 160 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3