ZVP3310FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.62
22,583
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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SOT23

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1+:¥0.667

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Diodes(美台)
SOT-23-3

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1+:¥0.69368

3138

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美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.682

6000+:¥0.7363

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800+:¥1.085

200+:¥1.55

10+:¥2.5226

3142

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Diodes(达尔)
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3000+:¥0.682

1500+:¥0.7337

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50+:¥1.0967

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DIODES INCORPORATED

100+:¥0.6983

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2680

2428
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SOT-23

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670

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SOT-23-3

1+:¥0.8576

4819

2116
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SOT-23

500+:¥0.9315

150+:¥1.0901

50+:¥1.2173

5+:¥1.5139

1850

-
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3000+:¥0.6448

1500+:¥0.69368

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1+:¥1.03688

3192

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10+:¥0.6858

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3