WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23
¥0.10608
34,187
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):900mA,导通电阻(RDS(on)):320mΩ@1.8V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23

3000+:¥0.104

1+:¥0.118

42295

25+
立即发货
WNM2020-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.11416

1000+:¥0.11628

500+:¥0.1184

100+:¥0.12041

10+:¥0.1219

17505

25+
现货
WNM2020-3/TR
Willsemi(韦尔)

3000+:¥0.153

1500+:¥0.1725

260+:¥0.1995

15039

-
3天-15天
WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23

600+:¥0.2327

200+:¥0.2762

20+:¥0.3362

1520

-
立即发货
WNM2020-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.10608

1+:¥0.1196

32

25+
1-2工作日发货
WNM2020-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.10608

1+:¥0.1196

31

2年内
1-2工作日发货
WNM2020-3/TR
韦尔(WILLSEMI)
SOT-23

30000+:¥0.1122

6000+:¥0.1211

3000+:¥0.1275

800+:¥0.1785

100+:¥0.255

20+:¥0.415

38

-
WNM2020-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
SOT-23

22+:¥0.3129

10+:¥0.316

22

-
立即发货
WNM2020-3/TR
WillSemi(韦尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.10816

1500+:¥0.12272

200+:¥0.13936

1+:¥0.21736

42405

--
1-3工作日
WNM2020-3/TR
WILLSEMI/上海韦尔半导体
SOT-23

9000+:¥0.1083

6000+:¥0.1123

3000+:¥0.1164

30000

24+
5-8工作日
WNM2020-3/TR
WILLSEMI/上海韦尔半导体
SOT-23

9000+:¥0.1166

6000+:¥0.1197

3000+:¥0.1217

50000

24+
7-10工作日
WNM2020-3/TR
WILLSEMI/上海韦尔半导体
SOT-23

1000+:¥0.15

500+:¥0.1636

100+:¥0.18

50+:¥0.225

10+:¥0.2571

1+:¥0.3

2245

2518+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 900mA
导通电阻(RDS(on)) 320mΩ@1.8V