TPH2R608NH,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
¥3.5
19,533
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):75 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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渠道
TPH2R608NH,L1Q(M
TOSHIBA(东芝)
QFN

5000+:¥3.5

1+:¥3.64

1233

22+
立即发货
TPH2R608NH,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8

1000+:¥3.61

500+:¥3.76

100+:¥4.1

30+:¥4.85

10+:¥5.53

1+:¥6.75

3055

-
立即发货
TPH2R608NH,L1Q(M
TOSHIBA(东芝)
SOP-8-Advance(5x6)

1000+:¥3.61

500+:¥3.76

100+:¥4.09

30+:¥4.85

10+:¥5.52

1+:¥6.74

4386

-
立即发货
TPH2R608NH,L1Q(M
Toshiba(东芝)
SOP-8-Advance(5x6)

5000+:¥3.64

1+:¥3.7856

1226

22+
1-2工作日发货
TPH2R608NH,L1Q(M
Toshiba(东芝)

100+:¥4.0788

20+:¥4.9005

1233

-
3天-15天
TPH2R608NH,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP Advance

100+:¥4.1

30+:¥4.86

10+:¥5.53

1+:¥6.75

5014

20+/21+
TPH2R608NH,L1Q(M
东芝(TOSHIBA)
SOP-8

50000+:¥4.3505

10000+:¥4.6965

5000+:¥4.9437

1000+:¥6.9212

300+:¥9.8874

10+:¥16.0917

3376

-
TPH2R608NH,L1Q
东芝(TOSHIBA)
SOP-8

1000+:¥4.0

500+:¥4.6

100+:¥5.0

30+:¥5.6

10+:¥6.8

1+:¥8.0

0

-
TPH2R608NH,L1Q
Toshiba(东芝)
PowerVDFN8

1000+:¥7.6219

500+:¥7.9533

100+:¥8.6161

30+:¥9.2789

1+:¥9.6103

0

-
立即发货
TPH2R608NH,L1Q(M
TOSHIBA
SOP Advance

1+:¥7.84

0

-
现货最快4H发
TPH2R608NH,L1Q
TOSHIBA
8-PowerVDFN

1+:¥31.36

10

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 72 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6000 pF @ 37.5 V
功率耗散(最大值) 142W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN