T2N7002BK,LM
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
¥0.048
257,014
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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价格(含税)
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渠道
T2N7002BK,LM(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23-3

3000+:¥0.048

1+:¥0.0605

54408

25+
立即发货
T2N7002BK,LM(T
Toshiba(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.04992

1+:¥0.06292

54400

25+
1-2工作日发货
T2N7002BK,LM(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.0528

6000+:¥0.057

3000+:¥0.06

800+:¥0.084

100+:¥0.12

20+:¥0.1953

54408

-
T2N7002BK,LM
TOSHIBA(东芝)
SOT-23

24000+:¥0.053

6000+:¥0.0602

3000+:¥0.0684

500+:¥0.0822

50+:¥0.107

25200

-
立即发货
T2N7002BK,LM
Toshiba(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.065

1200+:¥0.0773

600+:¥0.0781

50+:¥0.1017

3360

-
立即发货
T2N7002BK,LM
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.0693

6000+:¥0.0747

3000+:¥0.0787

800+:¥0.1102

100+:¥0.1574

20+:¥0.2562

3360

-
T2N7002BK,LM(T
Toshiba(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.0864

1500+:¥0.0908

350+:¥0.1451

54408

-
3天-15天
T2N7002BK,LM(B
Toshiba(东芝)

5000+:¥0.4114

4000+:¥0.4231

1000+:¥0.4819

500+:¥0.5524

300+:¥0.5569

180+:¥0.8353

7425

-
3周-4周
T2N7002BK,LM(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23

150+:¥0.5153

50+:¥0.5229

5+:¥0.5343

45

-
立即发货
T2N7002BK,LM(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

15000+:¥0.0432

9000+:¥0.0448

6000+:¥0.0472

3000+:¥0.05

150000

-
5-7工作日
T2N7002BK,LM
TOSHIBA
SOT-23-3

51000+:¥0.0505

24000+:¥0.0568

6000+:¥0.0639

3000+:¥0.0725

500+:¥0.0855

50+:¥0.1015

24418

2503+
1工作日
T2N7002BK,LM(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.0528

1500+:¥0.0666

200+:¥0.1064

1+:¥0.319

72438

25+
2-4工作日
T2N7002BK,LM(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

6000+:¥0.054

450000

25+
3-5工作日
T2N7002BK,LM(T
Toshiba(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.0649

68721

-
6-8工作日
T2N7002BK,LM(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

825+:¥0.3105

495+:¥0.3422

165+:¥0.372

35889

-
14-18工作日
T2N7002BK,LM(B
Toshiba Semiconductor
SOT-23

12000+:¥0.3706

6000+:¥0.3838

3000+:¥0.3961

6300

-
10-15工作日
T2N7002BK,LM(T
TOSHIBA
SOT23

1+:¥0.0471

0

-
现货最快4H发
T2N7002BK,LM
TOSHIBA
SOT-23

1+:¥0.049

0

-
现货最快4H发
T2N7002BK,LM
TOSHIBA(东芝)
SOT-23-3

3000+:¥0.061

1+:¥0.0768

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 320mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3