STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247
¥11.53
2,715
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):1200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247

500+:¥11.53

100+:¥12.45

30+:¥14.47

10+:¥16.45

1+:¥19.62

944

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STW12N120K5
ST
TO-247-3

600+:¥15.142

300+:¥17.0348

150+:¥18.9275

100+:¥20.8203

50+:¥22.713

10+:¥24.6058

600

23+
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STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247-3

600+:¥16.0

1+:¥16.48

192

23+
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STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247-3

600+:¥16.64

1+:¥17.1392

187

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STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247-3

10+:¥18.128

3+:¥21.032

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3天-15天
STW12N120K5
意法半导体(ST)
TO-247-3

6000+:¥64.9302

1200+:¥70.0951

600+:¥73.7843

300+:¥103.298

100+:¥147.5686

10+:¥240.1679

600

-
STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247

100+:¥11.686

30+:¥11.686

10+:¥11.686

1+:¥11.903

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20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 690 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 44.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1370 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3