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STPSC10H065D
ST(意法半导体)
TO-220AC
碳化硅二极管
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.75 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
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30+:￥7.664 10+:￥9.844 1+:￥13.015 |
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1000+:￥5.4778 500+:￥5.6425 100+:￥6.0268 50+:￥6.8747 10+:￥8.9602 1+:￥11.9799 |
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1+:￥9.5942 |
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1000+:￥5.65 1+:￥5.85 |
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意法半导体(ST)
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10000+:￥6.215 2000+:￥6.7094 1000+:￥7.0625 500+:￥9.8875 100+:￥14.125 10+:￥22.9884 |
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油柑网
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500+:￥7.8903 100+:￥8.1016 10+:￥9.1584 1+:￥9.5106 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 二极管类型 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 10A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.75 V @ 10 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100 µA @ 650 V |
| 不同\xa0Vr、F 时电容 | 480pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |