STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220
¥4.7008
22,837
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):600 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220AB

1000+:¥4.52

1+:¥4.71

708

24+
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STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220

1000+:¥4.7008

1+:¥4.8984

644

24+
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STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220-3

100+:¥5.181

8+:¥6.49

648

-
3天-15天
STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO220

500+:¥5.21

100+:¥5.33

20+:¥6.45

1+:¥7.12

1000

23+/24+
STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220

100+:¥5.33

30+:¥6.34

10+:¥6.69

1+:¥7.34

425

-
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STP26NM60N
意法半导体(ST)
TO-220

500+:¥7.6138

100+:¥8.2194

50+:¥8.652

20+:¥12.1128

10+:¥17.304

1+:¥28.1623

20110

-
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ST(意法半导体)
TO-220

1000+:¥4.7008

100+:¥4.8984

1+:¥6.136

708

--
1-3工作日
STP26NM60N
STMICROELECTRONICS
TO-220

1000+:¥4.7967

300+:¥4.9406

100+:¥5.1372

30+:¥5.708

10+:¥6.8592

1+:¥7.6747

261

23+
1工作日
STP26NM60N
STMicroelectronics
TO-220

8000+:¥4.9601

4000+:¥5.0472

2000+:¥5.1342

1000+:¥5.4388

5000

22+
3-6工作日
STP26NM60N
STMICROELECTRONICS
TO-220

1000+:¥4.9782

300+:¥5.1275

100+:¥5.3317

30+:¥5.9241

10+:¥7.1188

1+:¥7.9651

4144

23+
1工作日
STP26NM60N
STMicroelectronics
TO-220

1000+:¥4.9782

500+:¥5.2271

100+:¥5.5756

30+:¥6.132

10+:¥6.4517

1+:¥8.2551

720

2451+
1工作日
STP26NM60N
STMicroelectronics
TO-220

40000+:¥5.2212

20000+:¥5.2212

10000+:¥5.3128

5000+:¥5.4044

12000

-
5-7工作日
STP26NM60N
STMicroelectronics
TO-220

50000+:¥5.658

25000+:¥5.7072

5000+:¥5.8056

1000+:¥6.0024

12000

-
5-7工作日
STP26NM60N
STMicroelectronics
TO-220

1+:¥30.6203

1042

-
10-15工作日
STP26NM60N
ST(意法半导体)
TO-220-3

30+:¥9.0364

10+:¥9.1896

1+:¥9.9554

0

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STMICROELECTRONICS
TO-220

1+:¥10.3782

10

2106
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 140W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3