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STP110N8F6
ST(意法半导体)
TO-220
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：110A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥2.68 1+:￥2.8 |
2257 |
23+
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圣禾堂
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.7872 1+:￥2.912 |
2252 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.86 500+:￥3.04 100+:￥3.39 50+:￥3.97 10+:￥4.88 1+:￥6.04 |
5935 |
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立创商城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.948 100+:￥3.08 20+:￥3.85 |
2412 |
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3天-15天
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唯样商城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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250+:￥3.2544 50+:￥3.8112 10+:￥4.6848 1+:￥5.7984 |
209 |
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华秋商城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO220
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500+:￥3.38 100+:￥3.55 20+:￥4.28 1+:￥5.34 |
3764 |
23+/24+
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在芯间
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STP110N8F6
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意法半导体(ST)
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TO-220
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500+:￥3.8971 100+:￥4.2071 50+:￥4.4285 20+:￥6.1999 10+:￥8.857 1+:￥14.4148 |
50000 |
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油柑网
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STP110N8F6
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STMicroelectronics
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TO-220
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81000+:￥2.2577 3000+:￥2.2577 2000+:￥2.3188 1000+:￥2.4001 |
50000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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STMicroelectronics
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TO-220
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500+:￥2.3391 300+:￥2.4408 100+:￥2.5425 |
20000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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1000+:￥2.7872 100+:￥2.912 1+:￥3.64 |
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1-3工作日
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硬之城
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STP110N8F6
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ST(意法半导体)
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TO-220
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30000+:￥2.926 15000+:￥2.937 1000+:￥2.948 100+:￥3.08 1+:￥3.85 |
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23+
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2-4工作日
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云汉芯城
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STP110N8F6
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STMicroelectronics
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TO-220
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3000+:￥3.1149 2000+:￥3.2503 1000+:￥3.3858 |
16000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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STP110N8F6
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STMicroelectronics
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TO-220
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2500+:￥3.22 1250+:￥3.248 250+:￥3.304 50+:￥3.416 |
20000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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STP110N8F6
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STMicroelectronics
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TO-220
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10000+:￥3.24 5000+:￥3.33 3000+:￥3.39 1000+:￥3.45 |
100000 |
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7-10工作日
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云汉芯城
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STP110N8F6
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STMICROELECTRONICS
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TO-220-3
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1000+:￥2.9591 1+:￥3.0076 |
0 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9130 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |