STL130N6F7
ST(意法半导体)
PowerFLAT-5x6
¥1.64
652,634
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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ST(意法半导体)
PowerFLAT-5x6

1000+:¥1.64

500+:¥1.73

100+:¥2.16

30+:¥2.48

10+:¥2.8

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ST(意法半导体)
PowerFLAT-5x6

500+:¥2.05

100+:¥3.08

20+:¥3.68

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3200

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意法半导体(ST)
PowerFLAT-5x6

30000+:¥2.486

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3000+:¥2.825

800+:¥3.955

200+:¥5.65

10+:¥9.1954

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ST(意法半导体)
PowerFLAT-8

1000+:¥1.6588

500+:¥1.731

100+:¥1.8752

30+:¥2.0195

1+:¥2.0916

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ST(意法半导体)
Power

20+:¥2.618

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STMICROELECTRONICS
PowerFLAT 5x6

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1+:¥12.7265

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PowerFLAT-5x6-8

3000+:¥1.5912

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3000+:¥1.53

1+:¥1.6

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 42 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 4.8W(Ta),125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN