咨询/建议
STH3N150-2
ST(意法半导体)
H2PAK-2
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STH3N150-2
|
ST(意法半导体)
|
H²PAK
|
1000+:￥4.83 1+:￥5.03 |
1241 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
STH3N150-2
|
ST(意法半导体)
|
H2PAK-2
|
1000+:￥5.0232 1+:￥5.2312 |
1226 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
STH3N150-2
|
ST(意法半导体)
|
H2PAK-2
|
1000+:￥5.313 100+:￥5.533 8+:￥6.908 |
1231 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
STH3N150-2
|
ST(意法半导体)
|
H²PAK-2
|
30+:￥5.6 10+:￥5.9 1+:￥7.0 |
147 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
STH3N150-2
|
ST(意法半导体)
|
H2PAK-2
|
100+:￥6.2 30+:￥7.21 10+:￥8.09 1+:￥9.71 |
225 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 29.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 939 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 |