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STH3N150-2
ST(意法半导体)
H2PAK-2
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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STH3N150-2
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ST(意法半导体)
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H²PAK
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1000+:￥4.83 1+:￥5.03 |
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圣禾堂
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STH3N150-2
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ST(意法半导体)
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1000+:￥5.0232 1+:￥5.2312 |
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硬之城
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STH3N150-2
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ST(意法半导体)
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H2PAK-2
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1000+:￥5.313 100+:￥5.533 8+:￥6.908 |
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3天-15天
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唯样商城
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STH3N150-2
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ST(意法半导体)
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H²PAK-2
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30+:￥5.6 10+:￥5.9 1+:￥7.0 |
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华秋商城
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STH3N150-2
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ST(意法半导体)
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H2PAK-2
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100+:￥6.2 30+:￥7.21 10+:￥8.09 1+:￥9.71 |
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立创商城
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STH3N150-2
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意法半导体(ST)
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H2PAK-2
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10000+:￥7.0417 2000+:￥7.6018 1000+:￥8.0019 500+:￥11.2027 100+:￥16.0038 10+:￥26.0462 |
850 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 29.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 939 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型 |