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STGWT60H65DFB
ST(意法半导体)
TO-3P
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，60A
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STGWT60H65DFB
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意法半导体(ST)
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TO-3P-3
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100+:￥27.7501 50+:￥33.3001 10+:￥38.8501 1+:￥48.5627 |
4101 |
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油柑网
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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300+:￥19.78 1+:￥20.37 |
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21+
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立即发货
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圣禾堂
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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300+:￥20.5712 1+:￥21.1848 |
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21+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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10+:￥22.407 2+:￥25.993 |
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3天-15天
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唯样商城
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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300+:￥20.5712 10+:￥21.1848 1+:￥24.5752 |
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1-3工作日
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硬之城
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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30+:￥17.436 10+:￥18.98 1+:￥20.87 |
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20+/21+
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在芯间
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STGWT60H65DFB
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ST(意法半导体)
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TO-3P
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1000+:￥22.2804 100+:￥22.693 50+:￥23.1056 1+:￥24.756 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，60A |
| 功率 - 最大值 | 375 W |
| 开关能量 | 1.09mJ（开），626µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 306 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 51ns/160ns |
| 测试条件 | 400V，60A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 60 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |