STGWT30HP65FB
ST(意法半导体)
TO-3P
¥3.96
436
IGBT管/模块
IGBT 类型:沟槽型场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
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STGWT30HP65FB
ST(意法半导体)
TO-3P

100+:¥3.96

30+:¥4.218

10+:¥4.921

1+:¥5.328

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STMICROELECTRONICS
TO-3P

1+:¥8.9964

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ST(意法半导体)
TO-3P

1000+:¥3.7886

500+:¥3.8418

100+:¥3.9596

30+:¥4.218

10+:¥4.921

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TO-3P

1000+:¥5.0048

500+:¥5.2224

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30+:¥6.0928

1+:¥6.3104

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ST(意法半导体)
Tube

300+:¥10.61

1+:¥10.93

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STGWT30HP65FB
意法半导体(ST)
TO-3P-3

100+:¥13.5836

50+:¥16.3003

10+:¥19.017

1+:¥23.7713

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 293µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 149 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/146ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 140 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3