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STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220FPAB-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STF13N60M2
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ST(意法半导体)
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TO-220FPAB-3
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1200+:￥1.85 500+:￥1.97 100+:￥2.19 50+:￥2.56 10+:￥2.94 1+:￥3.69 |
25628 |
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立即发货
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ST(意法半导体)
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TO-220-3
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1000+:￥1.9968 1+:￥2.1632 |
5500 |
2年内
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ST(意法半导体)
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TO-220FP
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1000+:￥2.112 50+:￥2.288 20+:￥2.97 |
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ST(意法半导体)
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TO-220F(TO-220IS)
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100+:￥2.2 30+:￥2.58 10+:￥2.95 1+:￥3.71 |
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20+/21+
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在芯间
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STF13N60M2
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意法半导体(ST)
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TO-220FPAB-3
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500+:￥2.288 100+:￥2.47 50+:￥2.6 20+:￥3.64 10+:￥5.2 1+:￥8.463 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 580 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |