STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220FPAB-3
¥1.85
69,796
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):600 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220FPAB-3

1200+:¥1.85

500+:¥1.97

100+:¥2.19

50+:¥2.56

10+:¥2.94

1+:¥3.69

25627

-
立即发货
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220-3

1000+:¥1.9968

1+:¥2.1632

5500

2年内
1-2工作日发货
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220FP

1000+:¥2.112

50+:¥2.288

20+:¥2.97

5506

-
3天-15天
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220F(TO-220IS)

100+:¥2.2

30+:¥2.58

10+:¥2.95

1+:¥3.71

27399

20+/21+
STF13N60M2
意法半导体(ST)
TO-220FPAB-3

500+:¥2.288

100+:¥2.47

50+:¥2.6

20+:¥3.64

10+:¥5.2

1+:¥8.463

5506

-
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220FP

1+:¥2.575

163

-
立即发货
STF13N60M2
STMICROELECTRONICS
TO-220FP

50+:¥4.2015

1+:¥4.3842

95

2135
现货最快4H发
STF13N60M2
STMICROELECTRONICS
TO-220FP

500+:¥1.8833

300+:¥2.034

100+:¥2.0717

30+:¥2.5048

10+:¥2.7497

1+:¥3.2017

1989

24+
1-3工作日
STF13N60M2
STMicroelectronics
TO-220FP

8000+:¥1.9323

4000+:¥1.9662

2000+:¥2.0001

1000+:¥2.1188

8000

22+
3-6工作日
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包

1000+:¥1.97

1+:¥2.14

5506

2年内
立即发货
STF13N60M2
ST(意法半导体)
TO-220-3

1000+:¥2.0488

50+:¥2.2256

1+:¥2.8808

5506

--
1-3工作日
STF13N60M2
STMicroelectronics
TO-220FP

50+:¥2.1255

30+:¥2.145

20+:¥2.184

10+:¥2.4375

12000

25+
3-5工作日
STF13N60M2
STMicroelectronics
TO-220FP

2500+:¥2.415

1250+:¥2.436

250+:¥2.478

50+:¥2.562

10000

24+
3-5工作日
STF13N60M2
STMicroelectronics
TO-220FP

1+:¥6.7768

362

-
10-15工作日
STF13N60M2
STMicroelectronics
TO-220FP

500+:¥7.521

100+:¥8.2718

8+:¥9.108

367

-
14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 17 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 580 pF @ 100 V
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包