STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)
¥1.13
18,016
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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STD10NF10T4
ST(意法半导体)
DPAK

2500+:¥1.13

1+:¥1.2

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24+
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STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.1752

1+:¥1.248

4055

24+
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STD10NF10T4
意法半导体(ST)
DPAK

25000+:¥1.243

5000+:¥1.3419

2500+:¥1.4125

800+:¥1.9775

200+:¥2.825

10+:¥4.5977

4059

-
STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)

2500+:¥1.243

1250+:¥1.32

100+:¥1.518

30+:¥1.969

4059

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3天-15天
STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO252

1000+:¥2.45

100+:¥2.74

20+:¥3.19

1+:¥4.32

500

22+/23+
STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)

500+:¥2.9376

10+:¥3.5424

1+:¥4.0032

300

-
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STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252(DPAK)

500+:¥3.06

100+:¥3.2

30+:¥3.44

10+:¥3.69

1+:¥4.17

889

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STD10NF10T4
STMICROELECTRONICS
TO-252-3

1+:¥3.1654

95

2306
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STD10NF10T4
ST(意法半导体)
TO-252-3

2500+:¥1.196

1250+:¥1.2688

100+:¥1.456

1+:¥1.8928

4759

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1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 21 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 460 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 50W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63