SSM3K324R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
¥0.1803
77,922
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SSM3K324R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

9000+:¥0.1803

6000+:¥0.1925

3000+:¥0.217

300+:¥0.2476

100+:¥0.2884

10+:¥0.37

59040

-
立即发货
SSM3K324R,LF(B
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.183

300+:¥0.2081

100+:¥0.2414

10+:¥0.3082

3190

-
立即发货
SSM3K324R,LF(T
TOSHIBA
SOT-23F

1+:¥0.1862

4334

2242
现货最快4H发
SSM3K324R,LF(B
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F-3

3000+:¥0.2

1+:¥0.226

1188

22+
立即发货
SSM3K324R,LF(B
Toshiba(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.208

1+:¥0.23504

1187

22+
1-2工作日发货
SSM3K324R,LF(B
东芝(TOSHIBA)
SOT-23F-3

30000+:¥0.22

6000+:¥0.2375

3000+:¥0.25

800+:¥0.35

100+:¥0.5

20+:¥0.8138

1188

-
SSM3K324R,LF
Toshiba(东芝)
SOT23F

1200+:¥0.2304

600+:¥0.2327

100+:¥0.2711

10+:¥0.3478

1000

-
立即发货
SSM3K324R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

100+:¥0.274

30+:¥0.274

10+:¥0.319

1+:¥0.406

2940

20+/21+
SSM3K324R,LF(B
Toshiba(东芝)

200+:¥0.338

100+:¥0.5239

1188

-
3天-15天
SSM3K324R,LF(B
Toshiba(东芝)

1000+:¥0.8155

500+:¥0.8851

300+:¥0.9746

120+:¥1.3608

2667

-
3周-4周
SSM3K324R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT

3000+:¥0.18

300+:¥0.1962

100+:¥0.2142

30+:¥0.2358

10+:¥0.2862

1+:¥0.3456

2440

22+
1工作日
SSM3K324R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT

3000+:¥0.1836

210000

22+
3-5工作日
SSM3K324R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT

15000+:¥0.2007

9000+:¥0.2043

6000+:¥0.2061

3000+:¥0.2079

90000

22+
3-5工作日
SSM3K324R,LF(B
TOSHIBA(东芝)

3000+:¥0.22

1500+:¥0.2486

200+:¥0.286

1+:¥0.4433

1198

22+
2-4工作日
SSM3K324R,LF(T
Toshiba(东芝)
SOT

1381+:¥0.2507

1379+:¥0.2529

1378+:¥0.2572

1377+:¥0.2725

4117

-
6-8工作日
SSM3K324R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT

275+:¥0.989

165+:¥1.0384

55+:¥1.14

383

-
14-18工作日
SSM3K324R,LF(T
TOSHIBA
SOT

200+:¥0.1

100+:¥0.11

50+:¥0.115

5+:¥0.12

8

2144+
1工作日
SSM3K324R,LF(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23

30000+:¥0.2486

6000+:¥0.2684

3000+:¥0.2825

800+:¥0.3955

100+:¥0.565

20+:¥0.9196

0

-
SSM3K324R,LF
东芝(TOSHIBA)
SOT-23F

500+:¥1.1403

150+:¥1.3684

50+:¥1.7105

5+:¥2.0525

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 55 毫欧 @ 4A,4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 190 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线