SSM3J338R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
¥0.41
12,588
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):12 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SSM3J338R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

6000+:¥0.7744

3000+:¥0.8174

500+:¥0.8891

150+:¥1.0501

50+:¥1.1792

5+:¥1.4803

2430

-
立即发货
SSM3J338R,LF
东芝(TOSHIBA)
SOT-23F

30000+:¥0.8016

6000+:¥0.8653

3000+:¥0.9109

800+:¥0.9875

100+:¥1.4108

20+:¥2.2959

797

-
SSM3J338R,LF
Toshiba(东芝)
SOT23F

1200+:¥0.846

600+:¥0.8546

50+:¥1.1331

5+:¥1.4221

797

-
立即发货
SSM3J338R,LF(B
Toshiba(东芝)

1000+:¥1.1787

500+:¥1.2841

300+:¥1.4087

100+:¥2.0603

60+:¥2.6927

1950

-
3周-4周
SSM3J338R,LF(B
Toshiba(东芝)

1000+:¥1.1787

500+:¥1.2841

300+:¥1.4087

100+:¥2.0603

60+:¥2.6927

3000

-
3周-4周
SSM3J338R,LF(B
Toshiba(东芝)

300+:¥1.4087

100+:¥2.0603

60+:¥2.6927

480

-
3周-4周
SSM3J338R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

1000+:¥1.86

500+:¥2.11

100+:¥2.39

1+:¥3.23

3500

20+/21+
SSM3J338R,LF(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F-3

3000+:¥0.41

1+:¥0.438

39

23+
立即发货
SSM3J338R,LF(T
Toshiba(东芝)
--

3000+:¥0.4264

1+:¥0.45552

34

23+
1-2工作日发货
SSM3J338R,LF(T
东芝(TOSHIBA)
SOT-23F-3

30000+:¥0.451

6000+:¥0.4869

3000+:¥0.5125

800+:¥0.7175

100+:¥1.025

20+:¥1.6682

39

-
SSM3J338R,LF(T
Toshiba(东芝)
--

3000+:¥0.4264

1500+:¥0.45552

200+:¥0.50232

1+:¥0.72696

46

--
1-3工作日
SSM3J338R,LF(T
TOSHIBA(东芝)
SOT-23

3000+:¥0.451

1500+:¥0.4818

200+:¥0.5313

1+:¥0.7689

64

23+
2-4工作日
SSM3J338R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

15000+:¥0.6272

9000+:¥0.6385

6000+:¥0.6441

3000+:¥0.6498

30000

23+
3-5工作日
SSM3J338R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

200+:¥1.357

120+:¥1.4868

40+:¥1.644

38411

-
14-18工作日
SSM3J338R,LF(T
Toshiba Semiconductor
SOT-23

1000+:¥1.8661

500+:¥1.9157

250+:¥1.9641

100+:¥2.0135

3400

-
10-15工作日
SSM3J338R,LF(B
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F

3000+:¥0.41

1+:¥0.438

0

-
立即发货
SSM3J338R,LF(T
TOSHIBA
SOT-23F

1+:¥0.4342

2

2240
现货最快4H发
SSM3J338R,LF(B
东芝(TOSHIBA)
SOT-23F

30000+:¥0.4477

6000+:¥0.4833

3000+:¥0.5087

800+:¥0.7122

200+:¥1.0174

10+:¥1.6559

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 17.6 毫欧 @ 6A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1400 pF @ 6 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3 扁平引线