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SQ2318AES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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SQ2318AES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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6000+:￥0.8175 3000+:￥0.8694 500+:￥0.9561 150+:￥1.1507 50+:￥1.3066 5+:￥1.6706 |
4815 |
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SQ2318AES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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100+:￥1.188 40+:￥1.474 |
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VISHAY
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SOT-23
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1+:￥1.519 |
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2309
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京北通宇
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SQ2318AES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.8944 1500+:￥0.94328 750+:￥1.00048 100+:￥1.1232 1+:￥1.3936 |
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硬之城
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3（TO-236）
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |