咨询/建议
SQ2318AES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23
|
6000+:￥0.8175 3000+:￥0.8694 500+:￥0.9561 150+:￥1.1507 50+:￥1.3066 5+:￥1.6706 |
4815 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23
|
100+:￥1.188 40+:￥1.474 |
230 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
VISHAY
|
SOT-23
|
1+:￥1.519 |
4540 |
2309
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.8944 1500+:￥0.94328 750+:￥1.00048 100+:￥1.1232 1+:￥1.3936 |
430 |
--
|
1-3工作日
|
硬之城
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOT-23-3（TO-236）
|
3000+:￥0.86 1+:￥0.907 |
0 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23-3
|
3000+:￥0.8944 1+:￥0.94328 |
4 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
威世(VISHAY)
|
SOT-23
|
30000+:￥0.946 6000+:￥1.0213 3000+:￥1.075 800+:￥1.505 200+:￥2.15 10+:￥3.4991 |
5 |
-
|
油柑网
|
|
|
SQ2318AES-T1_GE3
|
Vishay(威世)
|
SOT-23
|
3000+:￥1.5325 |
0 |
-
|
唯样商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 7.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 13 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 555 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |