SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.741
28,764
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

500+:¥0.741

150+:¥0.9039

50+:¥0.9624

5+:¥1.0989

2505

-
立即发货
SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
TO-236(SOT-23)

3000+:¥0.881

1+:¥0.93

844

23+
立即发货
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥0.91624

1+:¥0.9672

843

23+
1-2工作日发货
SQ2309ES-T1_GE3
威世(VISHAY)
SOT-23

30000+:¥0.9691

6000+:¥1.0462

3000+:¥1.1013

800+:¥1.5418

200+:¥2.2026

10+:¥3.5847

844

-
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

3000+:¥1.0735

12080

-
3天-5天
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

750+:¥1.0835

100+:¥1.21

40+:¥1.518

844

-
3天-15天
SQ2309ES-T1_GE3
VISHAY
SOT-23

1+:¥1.4775

5978

12/13/23
现货最快4H发
SQ2309ES-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23

500+:¥2.494

100+:¥2.61

20+:¥3.422

1+:¥4.501

5625

18+
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1+:¥1.7515

45

-
3天-15天
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
TO-236-3

3000+:¥0.91624

1500+:¥0.9672

750+:¥1.0244

100+:¥1.144

1+:¥1.4352

844

--
1-3工作日
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay(威世)
SOT-23

1000+:¥1.4862

500+:¥1.552

100+:¥1.6441

30+:¥1.8413

10+:¥1.9729

1+:¥2.1701

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 336 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 8.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 265 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3