SIS443DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
¥2.1533
15,626
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPak1212-8

3000+:¥2.1533

100

-
3天-5天
SIS443DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-1212-8

3000+:¥3.3

1+:¥3.53

173

2年内
立即发货
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK1212-8

3000+:¥3.432

1+:¥3.6712

169

2年内
1-2工作日发货
SIS443DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8

1000+:¥3.53

500+:¥3.68

100+:¥4.0

30+:¥4.74

10+:¥5.38

1+:¥6.54

5217

-
立即发货
SIS443DN-T1-GE3
威世(VISHAY)
PowerPAK1212-8

30000+:¥3.63

6000+:¥3.9188

3000+:¥4.125

800+:¥5.775

200+:¥8.25

10+:¥13.4269

173

-
SIS443DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8

500+:¥4.23

100+:¥4.49

20+:¥4.86

1+:¥5.55

6000

22+
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPak1212-8

100+:¥4.4

10+:¥5.28

173

-
3天-15天
SIS443DN-T1-GE3
VISHAY

1+:¥5.684

721

-
现货最快4H发
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPak1212-8

1000+:¥11.4989

500+:¥11.5564

300+:¥11.6427

100+:¥12.0739

50+:¥12.7159

30+:¥13.5783

10+:¥17.8616

6+:¥28.3448

2900

-
3周-4周
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-1212-8

3000+:¥3.432

1500+:¥3.6712

750+:¥3.8584

100+:¥4.16

1+:¥4.992

415

--
1-3工作日
SIS443DN-T1-GE3
Vishay(威世)
PPAK8_3.05X3.05MM

1000+:¥5.3724

500+:¥5.6101

100+:¥5.9429

30+:¥6.656

10+:¥7.1315

1+:¥7.8446

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11.7 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 135 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4370 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8