咨询/建议
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥1.98 1+:￥2.08 |
23478 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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1000+:￥2.0 500+:￥2.13 100+:￥2.37 30+:￥2.77 10+:￥3.18 1+:￥3.99 |
6211 |
-
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立即发货
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立创商城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥2.0592 1+:￥2.1632 |
23474 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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3000+:￥2.178 1500+:￥2.288 750+:￥2.42 100+:￥2.717 20+:￥3.388 |
23478 |
-
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3天-15天
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唯样商城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PPAK8_4.9X5.89MM
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1000+:￥2.31 500+:￥2.42 100+:￥2.574 30+:￥2.904 10+:￥3.124 1+:￥3.454 |
1000 |
-
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立即发货
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华秋商城
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SIR422DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥2.486 6000+:￥2.6838 3000+:￥2.825 800+:￥3.955 200+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
703 |
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油柑网
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SiR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK SO-8
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500+:￥63.1 200+:￥64.8 20+:￥66.3 1+:￥74.7 |
100 |
21+
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在芯间
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnology
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PPAKSO-8
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1000+:￥2.0 500+:￥2.1 100+:￥2.26 30+:￥2.4511 1+:￥2.8414 |
114 |
2507+
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1工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥2.08 1500+:￥2.1736 750+:￥2.2776 100+:￥2.4544 1+:￥2.9536 |
26518 |
--
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1-3工作日
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硬之城
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY INTERTECHNOLOGY
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PPAKSO-8
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3000+:￥2.1739 300+:￥2.3478 100+:￥2.3913 30+:￥2.8913 10+:￥3.1739 1+:￥3.6957 |
3000 |
25+
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1-3工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PPAKSO-8
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39000+:￥2.1867 18000+:￥2.2089 3000+:￥2.22 1500+:￥2.3199 750+:￥2.4309 100+:￥2.6196 1+:￥3.1524 |
26518 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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PPAKSO-8
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10+:￥2.2 |
30050 |
批次:25+
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3-5工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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PPAKSO-8
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6000+:￥2.408 3000+:￥2.4295 1000+:￥2.6703 500+:￥2.9423 50+:￥3.225 |
12000 |
24+
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4-7工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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PPAKSO-8
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10000+:￥2.6509 3000+:￥2.7238 200+:￥2.7968 10+:￥2.9914 |
26102 |
-
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5-7工作日
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云汉芯城
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SIR422DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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PPAKSO-8
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500+:￥5.8995 100+:￥6.49 9+:￥7.14 |
46177 |
-
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14-18工作日
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云汉芯城
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| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1785 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），34.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |