SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
¥5.194
26,962
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):80 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8

1000+:¥5.194

500+:¥5.3802

100+:¥5.8114

30+:¥6.9

10+:¥7.84

1+:¥9.34

2305

-
立即发货
SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK® SO-8

3000+:¥5.2

1+:¥5.38

6333

23+
立即发货
SI7469DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.408

1+:¥5.5952

3328

23+
1-2工作日发货
SI7469DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.57814

2700

23+
1-3工作日发货
SI7469DP-T1-GE3
威世(VISHAY)
PowerPAK1212-8

30000+:¥5.5935

6000+:¥6.0385

3000+:¥6.3563

800+:¥8.8988

200+:¥12.7126

10+:¥20.6898

3000

-
SI7469DP-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

3000+:¥5.72

1500+:¥5.918

750+:¥6.149

100+:¥6.765

7+:¥7.777

6331

-
3天-15天
SI7469DP-T1-GE3
Vishay(威世)
SOIC-8

1000+:¥15.9068

500+:¥15.9739

300+:¥16.0602

100+:¥16.4914

50+:¥17.1334

30+:¥17.9862

10+:¥22.2791

4+:¥39.2975

2965

-
3周-4周
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Intertechnology
QFN-8

500+:¥5.3202

100+:¥5.6805

30+:¥6.158

10+:¥6.63

1+:¥7.2

458

2336+
1工作日
SI7469DP-T1-GE3
Vishay(威世)
PowerPAK-SO-8

3000+:¥5.408

1500+:¥5.5952

750+:¥5.8136

100+:¥6.396

1+:¥7.3528

6668

--
1-3工作日
SI7469DP-T1-GE3
VISHAY INTERTECHNOLOGY
QFN-8

1000+:¥5.4348

300+:¥5.5978

100+:¥5.8207

30+:¥6.4674

10+:¥7.7717

1+:¥8.6957

2999

24+
1-3工作日
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
QFN-8

3000+:¥5.5

6000

24+
3-5工作日
SI7469DP-T1-GE3
VISHAY SEMICONDUCTORS
QFN-8

1000+:¥5.5978

300+:¥5.7658

100+:¥5.9953

30+:¥6.6614

10+:¥8.0049

1+:¥8.9565

2474

23+
1工作日
SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
QFN-8

39000+:¥5.6832

18000+:¥5.7276

3000+:¥5.772

1500+:¥5.9718

750+:¥6.2049

100+:¥6.8265

1+:¥7.8477

6668

23+
2-4工作日
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
QFN-8

3000+:¥6.104

1000+:¥6.1585

500+:¥6.7689

200+:¥7.4583

20+:¥8.175

6000

23+
4-7工作日
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
QFN-8

500+:¥14.3635

100+:¥15.8002

5+:¥17.412

2021

-
14-18工作日
SI7469DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-1212-8

100+:¥5.35

30+:¥5.35

10+:¥5.35

1+:¥5.35

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 10.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4700 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 5.2W(Ta),83.3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8