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SI7155DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI7155DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥5.2 1+:￥5.38 |
11898 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI7155DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8
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1500+:￥5.36 750+:￥5.57 100+:￥6.04 30+:￥7.11 10+:￥8.06 1+:￥9.78 |
1813 |
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立即发货
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立创商城
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SI7155DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥5.408 1+:￥5.5952 |
11828 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI7155DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥5.434 1500+:￥5.6221 750+:￥5.8416 100+:￥6.4372 7+:￥7.3882 |
11835 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI7155DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥5.72 6000+:￥6.175 3000+:￥6.5 800+:￥9.1 200+:￥13.0 10+:￥21.1575 |
11830 |
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油柑网
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SI7155DP-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK SO-8
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30+:￥6.91 10+:￥7.76 1+:￥9.31 |
265 |
20+/21+
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在芯间
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SI7155DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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1000+:￥13.1375 500+:￥13.195 300+:￥13.2813 100+:￥13.7125 50+:￥14.3545 30+:￥15.2169 10+:￥19.5002 5+:￥32.4077 |
5516 |
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3周-4周
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唯样商城
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SI7155DP-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥5.5848 1500+:￥5.7824 750+:￥6.0008 100+:￥6.604 1+:￥7.6024 |
11903 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 330 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12900 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |